Name: IAUCN10S7N021ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND
Price: 18.6837 PLN
Availability: InStock

IAUCN10S7N021ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUCN10S7N021ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUCN10S7N021ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUCN10S7N021ATMA1
Opis	MOSFET_(75V 120V(
Standardowy czas realizacji przez producenta	35 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 175A (Tj) 217W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-53
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUCN10S7N021ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	175A (Tj)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	7V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,1mOhm przy 88A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,2V przy 130µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7153 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	217W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-53
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	15,19000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	18,68370 zł

IAUCN10S7N021ATMA1