Name: IAUC60N04S6N031HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N04S6N031HATMA1TR-ND
Price: 11.7096 PLN
Availability: OutOfStock

MOSFET - układy 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-56

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IAUC60N04S6N031HATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IAUC60N04S6N031HATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IAUC60N04S6N031HATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IAUC60N04S6N031HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IAUC60N04S6N031HATMA1
Opis	MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-56
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IAUC60N04S6N031HATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 30nC przy 10V
Producent Infineon Technologies	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1922pF przy 25V
Seria OptiMOS™ 6	Moc - maks. 75W (Tc)
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Status części Nie do nowych projektów	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Konfiguracja 2 kanały N (półmostek)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tj)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-56
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,1mOhm przy 30A, 10V	Bazowy numer produktu IAUC60
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 25µA