FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FS45MR12W1M1B11BOMA1
Numer produktu DigiKey	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Opis	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Montaż na podstawie montażowej AG-EASY1BM-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™+
Opakowanie	Taca
Status części	Nieaktualne
Technologia	Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja	6 kanałów N (3 mostki fazowe)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A (Tj)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 25A, 15V (typ.)
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,55V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	62nC przy 15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1840pF przy 800V
Moc - maks.	-
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia	Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia	AG-EASY1BM-2
Bazowy numer produktu	FS45MR12

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 82

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taca

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	504,24000 zł	504,24 zł
24	442,76833 zł	10 626,44 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.