Name: FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Price: 831.1725 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Numer produktu DigiKey	448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Opis	MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 170A (Tj) Montaż na podstawie montażowej Moduł
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taca
Status części	Aktywny
Technologia	Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja	2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	170A (Tj)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4mOhm przy 200A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,15V przy 80mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	594nC przy 18V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	17600pF przy 800V
Moc - maks.	-
Temperatura robocza	-40°C - 175°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia	Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia	Moduł
Bazowy numer produktu	FF4MR12

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 16

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taca

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	675,75000 zł	675,75 zł
15	624,39600 zł	9 365,94 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.