FF3MR12KM1HOSA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

FF3MR12KM1HOSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Infineon Technologies

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FF3MR12KM1HOSA1
Numer produktu DigiKey	448-FF3MR12KM1HOSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	FF3MR12KM1HOSA1
Opis	MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 375A (Tc) Montaż na podstawie montażowej AG-62MM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FF3MR12KM1HOSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taca
Status części	Nieaktualne
Technologia	Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja	2 kanały N (półmostek)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	375A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,83mOhm przy 375A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,15V przy 168mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1000nC przy 15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	29800pF przy 25V
Moc - maks.	-
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia	Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia	AG-62MM
Bazowy numer produktu	FF3MR12