
FF3MR12KM1HHPSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | FF3MR12KM1HHPSA1 |
Opis | MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 14 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Montaż na podstawie montażowej AG-62MMHB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | FF3MR12KM1HHPSA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Infineon Technologies | |
Seria | ||
Opakowanie | Skrzynka | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (półmostek) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 190A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 4,44mOhm przy 280A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,1V przy 112mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 800nC przy 18V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 24200pF przy 800V | |
Moc - maks. | - | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | AG-62MMHB |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 1 072,75000 zł | 1 072,75 zł |
| 10 | 927,47000 zł | 9 274,70 zł |
| 30 | 925,52267 zł | 27 765,68 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 1 072,75000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1 319,48250 zł |

