
F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-F411MR12W2M1HPB76BPSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | F411MR12W2M1HPB76BPSA1 |
Opis | MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 8 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 60A Montaż na podstawie montażowej |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | F411MR12W2M1HPB76BPSA1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Infineon Technologies | |
Seria | ||
Opakowanie | Taca | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | Węglik krzemu (SiC) | |
Konfiguracja | 4 kanał | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 60A | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 10,8mOhm przy 75A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,15V przy 30mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 223nC przy 18V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 6600pF przy 800V | |
Moc - maks. | - | |
Temperatura robocza | -40°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż na podstawie montażowej | |
Obudowa / skrzynia | Moduł | |
Obudowa dostawcy urządzenia | - | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 616,31000 zł | 616,31 zł |
| 18 | 507,80444 zł | 9 140,48 zł |
| 36 | 492,47222 zł | 17 729,00 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 616,31000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 758,06130 zł |

