Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 4.0959 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSZ180P03NS3EGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ180P03NS3EGATMA1
Opis	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 9A (Ta), 39,5A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9A (Ta), 39,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	18mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,1V przy 48µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2220 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSZ180