BSS139IXTSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSS139IXTSA1
Numer produktu DigiKey	448-BSS139IXTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSS139IXTSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSS139IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSS139IXTSA1
Opis	MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N, z kanałem zubożonym 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy PG-SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSS139IXTSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N, z kanałem zubożonym
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	0V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	14Ohm przy 100mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 56µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2.3 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	60 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	360mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-SOT-23-3
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Cena jednostkowa bez VAT:	1,61000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,98030 zł

BSS139IXTSA1