Name: BSO613SPVGXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND
Price: 7.0233 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSO613SPVGXUMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSO613SPVGXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSO613SPVGXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSO613SPVGXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSO613SPVGXUMA1
Opis	MOSFET P-CH 8-SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 3,44A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-DSO-8-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSO613SPVGXUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	SIPMOS®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,44A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	130mOhm przy 3,44A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	875 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-DSO-8-6
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	BSO613