BSO203SPHXUMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

BSO203SPHXUMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Infineon Technologies

W magazynie: 16 238

Cena jednostkowa : 5,53000 zł

Similar

Diodes Incorporated

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 4,10000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSO203SPHXUMA1
Numer produktu DigiKey	BSO203SPHXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSO203SPHXUMA1
Opis	MOSFET P-CH 20V 7A 8DSO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 7A (Ta) 1,6W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-DSO-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	21mOhm przy 8,9A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	39 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3750 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,6W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-DSO-8
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	BSO203