BSO080P03SHXUMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSO080P03SHXUMA1
Numer produktu DigiKey	BSO080P03SHXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSO080P03SHXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSO080P03SHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSO080P03SHXUMA1
Opis	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 12,6A (Ta) 1,79W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-DSO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSO080P03SHXUMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12,6A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8mOhm przy 14,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	136 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5890 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,79W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-DSO-8
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	BSO080

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
2 500	2,59456 zł	6 486,40 zł
5 000	2,50458 zł	12 522,90 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	8,83000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,86090 zł

BSO080P03SHXUMA1