BSC130P03LSGAUMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSC130P03LSGAUMA1
Numer produktu DigiKey	BSC130P03LSGAUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC130P03LSGAUMA1
Opis	MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 12A (Ta), 22,5A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	12A (Ta), 22,5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	13mOhm przy 22,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 150µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	73.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3670 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-3
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN

BSC130P03LSGAUMA1