Name: BSC066N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC066N06NSATMA1TR-ND
Price: 8.3886 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC066N06NSATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC066N06NSATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC066N06NSATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC066N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC066N06NSATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 64A (Tc) 2,5W (Ta), 46W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC066N06NSATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,3V przy 20µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1500 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 46W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 64A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu BSC066
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,6mOhm przy 50A, 10V