Name: BSC0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0901NSIATMA1TR-ND
Price: 8.0811 PLN
Availability: InStock

BSC0901NSIATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC0901NSIATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC0901NSIATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC0901NSIATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC0901NSIATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	28A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2600 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-6
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC0901

Cena jednostkowa bez VAT:	6,57000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,08110 zł

BSC0901NSIATMA1