Name: BSC076N06NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC076N06NS3GATMA1TR-ND
Price: 8.3517 PLN
Availability: InStock

BSC076N06NS3GATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC076N06NS3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC076N06NS3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC076N06NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC076N06NS3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 50A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-5
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC076N06NS3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,6mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 35µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4000 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-5
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC076

Cena jednostkowa bez VAT:	6,79000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,35170 zł

BSC076N06NS3GATMA1