SI7850DP-T1-E3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

RS1G300GNTB
Rohm Semiconductor
W magazynie: 16 294
Cena jednostkowa : 10,14000 zł
Arkusz danych

Similar

RS1L120GNTB
Rohm Semiconductor
W magazynie: 6
Cena jednostkowa : 8,86000 zł
Arkusz danych

Similar

RS1L145GNTB
Rohm Semiconductor
W magazynie: 558
Cena jednostkowa : 10,11000 zł
Arkusz danych

Similar

RS3L045GNGZETB
Rohm Semiconductor
W magazynie: 833
Cena jednostkowa : 4,43000 zł
Arkusz danych

Similar

RSH065N03TB1
Rohm Semiconductor
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,18000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 60 V 6,2A (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SI7850DP-T1-E3

Numer produktu DigiKey
SI7850DP-T1-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
SI7850DP-T1-E3CT-ND - Taśma cięta (CT)
SI7850DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
SI7850DP-T1-E3
Opis
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta
49 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 6,2A (Ta) 1,8W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SI7850DP-T1-E3 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Vishay Siliconix
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
6,2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
22mOhm przy 10,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
1,8W (Ta)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia
PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu
SI7850
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
110,04000 zł10,04 zł
106,48900 zł64,89 zł
1004,46750 zł446,75 zł
5003,66104 zł1 830,52 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 0002,99105 zł8 973,15 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:10,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:12,34920 zł
Produkty zbliżone
1 Pozycje
LM5116MHX/NOPB

LM5116MHX/NOPB

IC REG CTRLR BUCK 20TSSOP

Texas Instruments

20,21000 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
10 Pozycje
PDS760-13

PDS760-13

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI 5

Diodes Incorporated

4,00000 zł
BSC076N06NS3GATMA1

BSC076N06NS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

Infineon Technologies

6,93000 zł
74279223560

74279223560

FERRITE BEAD 56 OHM 1612 1LN

Würth Elektronik

1,93000 zł
SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

10,04000 zł
SI7415DN-T1-E3

SI7415DN-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

8,93000 zł
CMD17-21VGC/TR8

CMD17-21VGC/TR8

LED GREEN CLEAR 0805 SMD

Visual Communications Company - VCC

2,25000 zł
BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON

Infineon Technologies

6,57000 zł
2-1445057-4

2-1445057-4

CONN HEADER SMD R/A 4POS 3MM

TE Connectivity AMP Connectors

4,79000 zł
FIN1031MX

FIN1031MX

IC TRANSCEIVER 4/0 16SOIC

onsemi

8,61000 zł
T520D227M010ATE025

T520D227M010ATE025

CAP TANT POLY 220UF 10V 2917

KEMET

7,93000 zł