Name: BSC005N03LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC005N03LS5IATMA1TR-ND
Price: 12.9888 PLN
Availability: InStock

BSC005N03LS5IATMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSC005N03LS5IATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSC005N03LS5IATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSC005N03LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC005N03LS5IATMA1
Opis	TRENCH <= 40V
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 42A (Ta), 433A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC005N03LS5IATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	42A (Ta), 433A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,55mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8000 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8, FL
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	10,56000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,98880 zł

BSC005N03LS5IATMA1