Name: BSC005N03LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC005N03LS5ATMA1TR-ND
Price: 13.1487 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

BSC005N03LS5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSC005N03LS5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSC005N03LS5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSC005N03LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC005N03LS5ATMA1
Opis	TRENCH <= 40V
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 42A (Ta), 433A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC005N03LS5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	42A (Ta), 433A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,55mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8900 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 188W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8, FL
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	10,69000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	13,14870 zł

BSC005N03LS5ATMA1