AUIRF7309QTR Infineon Technologies | Układy tranzystorów FET, MOSFET

AUIRF7309QTR
Numer produktu DigiKey	AUIRF7309QTR-ND - Taśma i szpula (TR) AUIRF7309QCT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AUIRF7309QTR
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 4A, 3A 1,4W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	AUIRF7309QTR Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A, 3A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	50mOhm przy 2,4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	520pF przy 15V
Moc - maks.	1,4W
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	AUIRF7309

AUIRF7309QTR