AUIRF7103QTR Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AUIRF7103QTR
Numer produktu DigiKey	AUIRF7103QTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AUIRF7103QTR
Opis	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 50V 3A 2,4W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	AUIRF7103QTR Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	50V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	130mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	255pF przy 25V
Moc - maks.	2,4W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	AUIRF7103