Name: AIMZH120R030M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZH120R030M1TXKSA1-ND
Price: 78.0558 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMZH120R030M1TXKSA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMZH120R030M1TXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMZH120R030M1TXKSA1
Opis	SIC_DISCRETE
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 69A (Tc) 326W (Tc) Otwór przelotowy
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	69A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	38mOhm przy 27A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,1V przy 8,6mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	57 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1738 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	326W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO247-4-11
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 406

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	63,46000 zł	63,46 zł
30	39,39000 zł	1 181,70 zł
120	34,44975 zł	4 133,97 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.