Name: AIMCQ120R040M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R040M1TXTMA1TR-ND
Price: 60.2823 PLN
Availability: InStock

Kanał N 1200 V 61A (Tc) 341W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMCQ120R040M1TXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMCQ120R040M1TXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AIMCQ120R040M1TXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AIMCQ120R040M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMCQ120R040M1TXTMA1
Opis	SIC_DISCRETE
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 61A (Tc) 341W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	AIMCQ120R040M1TXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5.1V @ 6.4mA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 43 nC @ 20 V
Seria CoolSiC™	Vgs (maks.) +25V, -10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1264 pF @ 800 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 341W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 1200 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 61A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 18V, 20V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-HDSOP-22
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 50mOhm @ 20A, 20V	Obudowa / skrzynia Moduł 22-PowerBSOP