Name: AIMCQ120R030M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1TR-ND
Price: 73.4679 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMCQ120R030M1TXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMCQ120R030M1TXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AIMCQ120R030M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMCQ120R030M1TXTMA1
Opis	SIC_DISCRETE
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 78A (Tc) 417W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	AIMCQ120R030M1TXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	78A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	38mOhm przy 27A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,1V przy 8,6mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	57 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1738 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	417W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-22
Obudowa / skrzynia	Moduł 22-PowerBSOP