Name: AIMBG120R020M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND
Price: 97.5144 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMBG120R020M1XTMA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMBG120R020M1XTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AIMBG120R020M1XTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMBG120R020M1XTMA1
Opis	SICFET N-CH 1200V 104A TO-263
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	AIMBG120R020M1XTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	104A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25mOhm przy 43A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,1V przy 15mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+23V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2667 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	468W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7-12
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	AIMBG120