Name: 2N7002DWH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2N7002DWH6327XTSA1TR-ND
Price: 1.6728 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

2N7002DWH6327XTSA1
Numer produktu DigiKey	2N7002DWH6327XTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 2N7002DWH6327XTSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 2N7002DWH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	2N7002DWH6327XTSA1
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 300mA 500mW Montaż powierzchniowy PG-SOT363-PO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	2N7002DWH6327XTSA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3Ohm przy 500mA, 10V
Producent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria OptiMOS™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0,6nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 20pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 500mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-SOT363-PO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 300mA	Bazowy numer produktu 2N7002

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 27 895

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)