
GSFD4N65 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 4786-GSFD4N65-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | GSFD4N65 |
Opis | MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 4A (Tc) 77W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 2,7Ohm przy 2A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 12.5 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 430 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 77W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252 (DPak) | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 2,56000 zł | 2,56 zł |
| 10 | 1,59200 zł | 15,92 zł |
| 100 | 1,02330 zł | 102,33 zł |
| 500 | 0,77768 zł | 388,84 zł |
| 1 000 | 0,69840 zł | 698,40 zł |
| 2 500 | 0,61248 zł | 1 531,20 zł |
| 5 000 | 0,55933 zł | 2 796,65 zł |
| 10 000 | 0,51461 zł | 5 146,10 zł |
| 50 000 | 0,44835 zł | 22 417,50 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,56000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 3,14880 zł |







