Kanał P 100 V 56A (Tc) 173,6W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT250P10T

Numer produktu DigiKey
3141-GT250P10T-ND
Producent
Goford Semiconductor
Numer produktu producenta
GT250P10T
Opis
MOSFET P-CH 100V 56A TO-220
Standardowy czas realizacji przez producenta
8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 100 V 56A (Tc) 173,6W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Goford Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
56A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
30mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
4059 pF @ 50 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
173,6W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 46
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
110,74000 zł10,74 zł
505,30500 zł265,25 zł
1004,77720 zł477,72 zł
5003,85170 zł1 925,85 zł
1 0003,55428 zł3 554,28 zł
2 0003,30424 zł6 608,48 zł
5 0003,03385 zł15 169,25 zł
10 0002,98485 zł29 848,50 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:10,74000 zł
Cena jednostkowa z VAT:13,21020 zł