Kanał P 60 V 82A (Tc) 150W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT065P06T

Numer produktu DigiKey
3141-GT065P06T-ND
Producent
Goford Semiconductor
Numer produktu producenta
GT065P06T
Opis
P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Standardowy czas realizacji przez producenta
8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 60 V 82A (Tc) 150W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Goford Semiconductor
Seria
SGT
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
82A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
8mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5335 pF @ 30 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 21
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
110,84000 zł10,84 zł
505,36760 zł268,38 zł
1004,83470 zł483,47 zł
5003,90012 zł1 950,06 zł
1 0003,59974 zł3 599,74 zł
2 0003,34720 zł6 694,40 zł
5 0003,07412 zł15 370,60 zł
10 0003,02974 zł30 297,40 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:10,84000 zł
Cena jednostkowa z VAT:13,33320 zł