Kanał P 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G65P06T

Numer produktu DigiKey
3141-G65P06T-ND
Producent
Goford Semiconductor
Numer produktu producenta
G65P06T
Opis
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~
Standardowy czas realizacji przez producenta
8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 60 V 65A (Tc) 130W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Goford Semiconductor
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
65A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
18mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
6390 pF @ 30 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Bez możliwości anulowania i zwrotu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
17,85000 zł7,85 zł
503,79240 zł189,62 zł
1003,39840 zł339,84 zł
5002,70684 zł1 353,42 zł
1 0002,48446 zł2 484,46 zł
2 0002,29748 zł4 594,96 zł
5 0002,10933 zł10 546,65 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:7,85000 zł
Cena jednostkowa z VAT:9,65550 zł