Kanał P 100 V 12A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G12P10TE

Numer produktu DigiKey
3141-G12P10TE-ND
Producent
Goford Semiconductor
Numer produktu producenta
G12P10TE
Opis
P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Standardowy czas realizacji przez producenta
8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 100 V 12A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Goford Semiconductor
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
12A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
200mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
760 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
40W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 41
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
15,17000 zł5,17 zł
502,42520 zł121,26 zł
1002,15590 zł215,59 zł
5001,68272 zł841,36 zł
1 0001,53033 zł1 530,33 zł
2 0001,40210 zł2 804,20 zł
5 0001,26335 zł6 316,75 zł
10 0001,17763 zł11 776,30 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:5,17000 zł
Cena jednostkowa z VAT:6,35910 zł