Name: G08P06D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G08P06D3TR-ND
Price: 4.6863 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G08P06D3
Numer produktu DigiKey	3141-G08P06D3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-G08P06D3CT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-G08P06D3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	G08P06D3
Opis	P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 20A (Tc) 40W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (3,15x3,05)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Goford Semiconductor
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	20A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	52mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3000 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	40W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-DFN (3,15x3,05)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN