Kanał P 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G080P06T

Numer produktu DigiKey
3141-G080P06T-ND
Producent
Goford Semiconductor
Numer produktu producenta
G080P06T
Opis
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Standardowy czas realizacji przez producenta
8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Goford Semiconductor
Seria
TrenchFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
195A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
7,5mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
14692 pF @ 30 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
294W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 100
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
111,04000 zł11,04 zł
505,48200 zł274,10 zł
1004,94350 zł494,35 zł
5003,99928 zł1 999,64 zł
1 0003,69584 zł3 695,84 zł
2 0003,44072 zł6 881,44 zł
5 0003,37034 zł16 851,70 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:11,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:13,57920 zł