Name: G2R1000MT33J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G2R1000MT33J-TR-ND
Price: 112.2252 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G2R1000MT33J-TR
Numer produktu DigiKey	1913-G2R1000MT33J-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1913-G2R1000MT33J-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1913-G2R1000MT33J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G2R1000MT33J-TR
Opis	3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 3300 V 5A (Tc) 74W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,2Ohm przy 2A, 20V
Prod. Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 2mA
Seria LoRing™	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21 nC @ 20 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +20V, -5V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 238 pF @ 1000 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 74W (Tc)
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 3300 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263-7
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 20V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA