Name: GE12050EEA3
Brand: GE Aerospace
SKU: 4014-GE12050EEA3-ND
Price: 39611.3382 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GE12050EEA3
Numer produktu DigiKey	4014-GE12050EEA3-ND
Producent	GE Aerospace
Numer produktu producenta	GE12050EEA3
Opis	MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montaż na podstawie montażowej Moduł
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	GE Aerospace
Seria	SiC Power
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Technologia	Węglik krzemu (SiC)
Konfiguracja	6 kanałów N (3 mostki fazowe)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200V (1,2kV)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	475A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,4mOhm przy 475A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 160mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1248nC przy 18V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	29300pF przy 600V
Moc - maks.	1250W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż na podstawie montażowej
Obudowa / skrzynia	Moduł
Obudowa dostawcy urządzenia	Moduł
Bazowy numer produktu	GE12050