Name: EPC2366ENGRT
Brand: EPC
SKU: 917-EPC2366ENGRTTR-ND
Price: 20.0367 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

EPC2366ENGRT
Numer produktu DigiKey	917-EPC2366ENGRTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 917-EPC2366ENGRTCT-ND - Taśma cięta (CT) 917-EPC2366ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	EPC
Numer produktu producenta	EPC2366ENGRT
Opis	TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 88A Montaż powierzchniowy 5-QFN (3,3x2,6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	EPC
Seria	eGaN®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	88A
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,8Ohm przy 30A, 5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 12mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	+6V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2645 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-40°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	5-QFN (3,3x2,6)
Obudowa / skrzynia	5-PowerWQFN