Name: DI7A6N04SQ2
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI7A6N04SQ2TR-ND
Price: 3.0504 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DI7A6N04SQ2
Numer produktu DigiKey	4878-DI7A6N04SQ2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 4878-DI7A6N04SQ2CT-ND - Taśma cięta (CT) 4878-DI7A6N04SQ2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DI7A6N04SQ2
Opis	MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 7,6A (Tc) 3,1W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DI7A6N04SQ2 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 18nC przy 10V
Producent Diotec Semiconductor	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 870pF @ 20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 3,1W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 7,6A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28mOhm przy 7A, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Vgs(th) (maks.) przy Id 1,6V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 778

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	2,48000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,05040 zł

DI7A6N04SQ2