
DI2A8N03PWK2-AQ | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 4878-DI2A8N03PWK2-AQ-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DI2A8N03PWK2-AQ |
Opis | MOSFET 2N-CH 30V 2.8A 6QFN |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 8 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 30V 2,8A (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-QFN (2x2) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | DI2A8N03PWK2-AQ Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Diotec Semiconductor | |
Seria | - | |
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 30V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 2,8A (Ta) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 72mOhm przy 2A, 4,5V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1,2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 6,8nC przy 4,5V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 387pF @ 15V | |
Moc - maks. | 1W (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 6-UDFN podkładka odsłonięta | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 6-QFN (2x2) |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 2,24000 zł | 2,24 zł |
| 10 | 1,39000 zł | 13,90 zł |
| 100 | 0,88920 zł | 88,92 zł |
| 500 | 0,67220 zł | 336,10 zł |
| 1 000 | 0,60217 zł | 602,17 zł |
| 4 000 | 0,49350 zł | 1 974,00 zł |
| 8 000 | 0,45172 zł | 3 613,76 zł |
| 12 000 | 0,43043 zł | 5 165,16 zł |
| 52 000 | 0,37188 zł | 19 337,76 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,24000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 2,75520 zł |

