Odpowiednik parametryczny

DI2A2N100D1K-AQ | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 4878-DI2A2N100D1K-AQ-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DI2A2N100D1K-AQ |
Opis | MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 8 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1000 V 2,2A (Tc) 30W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | DI2A2N100D1K-AQ Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1000 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 6,8Ohm przy 1,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±25V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 510 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 30W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252 (DPak) | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 2,30918 zł | 5 772,95 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 2,30918 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 2,84029 zł |


