Name: DI200N04PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI200N04PQTR-ND
Price: 15.5472 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DI200N04PQ
Numer produktu DigiKey	4878-DI200N04PQTR-ND - Taśma i szpula (TR) 4878-DI200N04PQCT-ND - Taśma cięta (CT) 4878-DI200N04PQDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DI200N04PQ
Opis	MOSFET N-CH 40V 200A 8-POWERTDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 200A (Tc) 180W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-QFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DI200N04PQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 92 nC @ 10 V
Prod. Diotec Semiconductor	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5768 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 180W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 200A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-QFN (5x6)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,3mOhm przy 100A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA