Name: NVMFWS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS1D3N04XMT1GTR-ND
Price: 10.824 PLN
Availability: OutOfStock

NVMFWS1D3N04XMT1G nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Renesas Electronics Corporation

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 1,56467 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NVMFWS1D3N04XMT1G
Numer produktu DigiKey	488-NVMFWS1D3N04XMT1GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 488-NVMFWS1D3N04XMT1GCT-ND - Taśma cięta (CT) 488-NVMFWS1D3N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NVMFWS1D3N04XMT1G
Opis	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Standardowy czas realizacji przez producenta	50 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 40A (Ta), 195A (Tc) 90W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 38.6 nC @ 10 V
Prod. onsemi	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2459 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 90W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 40A (Ta), 195A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,3mOhm przy 20A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN, 5 przewodów
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 100µA	Bazowy numer produktu NVMFWS