
DI017N10D1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 4878-DI017N10D1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | DI017N10D1 |
Opis | MOSFET N-CH 100V 17A TO-252-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 10 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | DI017N10D1 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 4V, 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 105mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 34 nC @ 5 V | |
Vgs (maks.) | ±16V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 800 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 79W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-252 (DPak) | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,79952 zł | 1 998,80 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 0,79952 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 0,98341 zł |

