Name: DI006P02PW
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI006P02PWTR-ND
Price: 3.198 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DI006P02PW
Numer produktu DigiKey	4878-DI006P02PWTR-ND - Taśma i szpula (TR) 4878-DI006P02PWCT-ND - Taśma cięta (CT) 4878-DI006P02PWDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DI006P02PW
Opis	MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 6A (Tc) 2W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-QFN (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DI006P02PW Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diotec Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25mOhm przy 6A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1242 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-QFN (2x2)
Obudowa / skrzynia	8-PowerUDFN
Bazowy numer produktu	DI006P02

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 4 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)