Name: ZXMN6A09GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A09GTR-ND
Price: 8.7453 PLN
Availability: InStock

ZXMN6A09GTA
Numer produktu DigiKey	ZXMN6A09GTR-ND - Taśma i szpula (TR) ZXMN6A09GCT-ND - Taśma cięta (CT)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	ZXMN6A09GTA
Opis	MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 5,4A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-223-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	40mOhm przy 8,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	24.2 nC @ 5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1407 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-223-3
Obudowa / skrzynia	TO-261-4, TO-261AA
Bazowy numer produktu	ZXMN6

Cena jednostkowa bez VAT:	7,11000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,74530 zł

ZXMN6A09GTA