Name: ZXMHC3F381N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMHC3F381N8DITR-ND
Price: 7.3062 PLN
Availability: InStock

ZXMHC3F381N8TC
Numer produktu DigiKey	ZXMHC3F381N8DITR-ND - Taśma i szpula (TR) ZXMHC3F381N8DICT-ND - Taśma cięta (CT) ZXMHC3F381N8DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	ZXMHC3F381N8TC
Opis	MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.98A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 3,98A, 3,36A 870mW Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ZXMHC3F381N8TC Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 z kanałem N i 2 z kanałem P (pełny mostek)
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,98A, 3,36A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	33mOhm przy 5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	9nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	430pF przy 15V, 670pF przy 15V
Moc - maks.	870mW
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Bazowy numer produktu	ZXMHC3F381

Cena jednostkowa bez VAT:	5,94000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,30620 zł

ZXMHC3F381N8TC