Name: DMTH43M8LFGQ-7-01
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M8LFGQ-7-01TR-ND
Price: 2.00132 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

DMTH43M8LFGQ-7-01
Numer produktu DigiKey	31-DMTH43M8LFGQ-7-01TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH43M8LFGQ-7-01
Opis	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.62W (Ta), 65.2W (Tc) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	40.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2798 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	POWERDI3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN

Cena jednostkowa bez VAT:	1,62709 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,00132 zł

DMTH43M8LFGQ-7-01