Name: DMTH43M8LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH43M8LFG-13DI-ND
Price: 1.75584 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

DMTH43M8LFG-13
Numer produktu DigiKey	DMTH43M8LFG-13DI-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH43M8LFG-13
Opis	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.62W (Ta), 65.2W (Tc) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	24A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	40.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2798 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	POWERDI3333-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	DMTH43

Cena jednostkowa bez VAT:	1,42751 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,75584 zł

DMTH43M8LFG-13