Name: DMTH4004LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH4004LK3Q-13DITR-ND
Price: 9.0282 PLN
Availability: OutOfStock

DMTH4004LK3Q-13
cms-digikey-product-number	DMTH4004LK3Q-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMTH4004LK3Q-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMTH4004LK3Q-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Diodes Incorporated
cms-manufacturer-product-number	DMTH4004LK3Q-13
cms-description	MOSFET N-CH 40V 100A TO252
cms-standard-lead-time	40 tygodnie
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Kanał N 40 V 100A (Tc) 3,9W (Ta), 180W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252-3
Arkusz danych	Arkusz danych

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4450 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,9W (Ta), 180W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	DMTH4004

cms-quantity	Cena jednostkowa	cms-ext-price
2 500	2,01301 zł	5 032,52 zł
5 000	1,92591 zł	9 629,55 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	7,34000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,02820 zł

DMTH4004LK3Q-13