Odpowiednik parametryczny
Odpowiednik parametryczny
Odpowiednik parametryczny

DMTH10H032LDVWQ-13 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 31-DMTH10H032LDVWQ-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMTH10H032LDVWQ-13 |
Opis | MOSFET 2N-CH 100V 7.2A PWRDI3333 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 40 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 100V 7,2A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy PowerDI3333-8 (SWP) (typ UXD) |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Diodes Incorporated | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 100V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 7,2A (Ta) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 32mOhm przy 5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 11,9nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 683pF przy 50V | |
Moc - maks. | 1,5W (Ta) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-PowerVDFN | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerDI3333-8 (SWP) (typ UXD) |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,24663 zł | 3 739,89 zł |
| 6 000 | 1,15592 zł | 6 935,52 zł |
| 9 000 | 1,12345 zł | 10 111,05 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 1,24663 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1,53335 zł |

