Name: DMTH10H025LK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H025LK3Q-13TR-ND
Price: 7.2078 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMTH10H025LK3Q-13
Numer produktu DigiKey	31-DMTH10H025LK3Q-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMTH10H025LK3Q-13CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMTH10H025LK3Q-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMTH10H025LK3Q-13
Opis	MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252 T&R
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 51,7A (Tc) 3,1W (Ta) Montaż powierzchniowy TO-252 (DPak)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	51,7A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1477 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,1W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252 (DPak)
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	DMTH10